N tipi Si kristalinden elektronların saçılmasının beta spektrometresiyle incelenmesi
Küçük Resim Yok
Tarih
2000
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Ege Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/closedAccess
Özet
Yüzey engelli detektörlü (YED), PSA ve bunu tamamlayıcı düzeneklerin ilave edildiği beta spektrometresi, 204TI ve 14C'den yayınlanan betaların net spektrumlarının elde edilmesi için kullanılmıştır. N tipi Si malzemeden yapılmış ince disklerden geçen ve bunlardan çeşitli doğrultularda saçılan elektronların net spektrumlarının alınabilmesi amacıyla beta spektrometresinde elektronik bileşenler yönünde gerekli değişiklikler ve ayarlamalar yapılmıştır. 14C'den yayınlanan betaların net kaynak puls yüksekliği dağılımları; YED ve "biased" yükseltici ilaveli beta spektrometresiyle -30 - C'de elde edilerek teorik beta spektrumuyla karşılaştırılmıştır. Bu deney düzeneklerine uygulanacak üç boyutlu Monte Carlo programı yazılarak 204TI'dan yayınlanan betaların n-tipi Si'den ve (YED)'den geçtikten sonraki spektrumları elde edilmiştir. Esnek ve frenleme ışını tesir kesitleri teorik olarak hesaplanmış, inelastik tesir kesitleri deneysel verilere uygun analitik bağıntılardan bulunmuş, geri ve çoklu saçılmalar göz önüne alınmıştır. Deneysel ve teorik spektrumların deneysel hata sınırları içinde uyumlu olduğu ve Si'nin 300 - 450 keV enerji bölgesindeki elektron tesir kesitlerinin yeniden araştırılması gerektiği gözlenmiştir. Fermi beta teorisine göre beta spektrumu elde edilerek, teorik hesaplarda kullanılmıştır. 204TI ve 14C'den yayınlanan betaların n-tipi Si'den 100, 500 ve 100, 200, 500 saçıldıktan sonraki puls yüksekliği dağılımları 2000om YED, PSA, TPHC ve GATE'li beta spektrometresi yardımıyla çizilmişlerdir.
Açıklama
Yardımcı Araştırmacılar; Fevzi Ciğeroğlu, Hüseyin Erbil, Füsun Çam, Cüneyt Çeliktaş
Araştırma Projesi -- Ege Üniversitesi, 2000
Araştırma Projesi -- Ege Üniversitesi, 2000
