Bazı yarıiletken malzemelerin yoğunluk fonksiyonel teorisi kullanılarak incelenmesi

Yükleniyor...
Küçük Resim

Tarih

2015

Dergi Başlığı

Dergi ISSN

Cilt Başlığı

Yayıncı

Ege Üniversitesi

Erişim Hakkı

info:eu-repo/semantics/openAccess

Özet

Geniş bant aralıklı yarıiletken malzemeler sanayi ve çeşitli ileri teknoloji uygulamalarında çok kullanışlıdır. Sensörler, güneş pilleri, lazerler, elektronik gösterge panelleri, yüksek yoğunluklu optiksel bellekler, bilgisayarlar, cep telefonları ve daha saymadığımız birçok ürün geniş bant aralıklı yarıiletkenlerden yapılmaktadır. Fakat yarıiletken malzemelerin büyük kristallerinin üretimi kritik büyütme şartlarından dolayı büyük problem teşkil etmektedir. Bu durumda hızlı gelişen bilgisayar teknolojisi ve yoğunluk fonksiyonel teorisi (DFT), malzemelerin çeşitli özelliklerindeki başlangıç prensibi hesapları bu problemleri çözmeyi mümkün kılar. Uygun basınç altında bu yarıiletken malzemelerin kristalleri farklı fazlarda olmaktadır. Kısaca bir basınç uygulandığında faz değiştirirler. Bu polimorfik yapısal değişim, araştırmacılara malzemenin nano yapısında birçok problemi inceleme fırsatı verir. Bu sayede incelenen malzemenin yapısal, mekanik, elektronik ve optik özellikleri belirlenir. Bunun sonucunda malzemenin temel karakteristiği belirlenmiş olur.;Semiconductor, ab-initio calculations, elastic and electronic properties.;Yarıiletken, ab-initio hesaplamalar, elastik ve elektronik özellikler.

Açıklama

Araştırma Projesi -- Ege Üniversitesi, 2015

Anahtar Kelimeler

Kaynak

WoS Q Değeri

Scopus Q Değeri

Cilt

Sayı

Künye