N-tipi iletken malzemelere dayalı organik alan etkili transistörlerin üretimleri, performans ve karakteristiklerinin incelenmesi

Bu tezde, n-tipi yarı iletken malzemelere dayalı organik alan etkili transistörler çeşitli üretim yöntemleri (döndürerek kaplama ve termal buharlaştırma) kullanılarak tasarlanmıştır. N tipi organik alan etkili transistörlerin, akım-gerilim parametreleri ölçülmüş ve bu değerler yardımıyla performans karakteristikleri (geçiş iletkenlik değeri, alt eşik değer eğrisi, mobilite vb..) hesaplanmıştır. Ayrıca, farklı elektrotlar kullanılarak oluşturulan organik transistörlerin kontak direnç etkisi incelenmiştir. Yapılan deneyler sonucunda, Fulleren (C60) tabanlı transistörde 0.5 cm2/Vs ve PCBM tabanlı transistörde 0.10 cm2/Vs, naftalen diimid tabanlı transistörde 0.05 cm2/Vs elektron mobilite değerleri elde edilmiştir. Perilen diimid tabanlı transistörde, 7.10-5 elektron ve 8.10-5 delik mobilite değerleri hesaplanmıştır.;N type semiconductor, organic field effect transistors.;N-tipi yarı iletken malzemeler, organik alan etkili transistörler.