Selvi, SaimSelvi, Saim2024-08-212024-08-212007http://155.223.63.101/tez3/2004bil024.pdfhttps://hdl.handle.net/11454/89642Araştırmacılar; Nurdoğan Can, Ahmet Çetin, Rana Kibar, Sibel UsluAraştırma Projesi -- Ege Üniversitesi, 20072004 BİL/024 EBİLTEM; Ege Üniversitesi projesiyle satın alınan saf ve tek olan ZnO yarı iletken (0001) yüzlü kristallerden altısının, oda sıcaklığında 1x1016-4,65x1016 iyon/cm2 ve akıxzaman aralığında 400 keV enerjili bakır iyonlarıyla ve diğer 6 tanesinin de 1x1016-2x1017 iyon/cm2 akıxzaman aralığında aynı enerjili terbiyum iyonlarıyla, Almanya Juelich Araştırma Merkezi?ndeki EATON 3204 iyon katıcısıyla bombalanmaları sağlanmıştır. ZnO yüksek radyasyona karşı duyarlı ve radyasyona karşı dayanıklı olduğu için seçilmiştir. En fazla akıxzamanlı Cu ve Tb ile implantasyona uğramış numunenin, ve Tb ile bombalamış ZnO nun 1000 oC da tavlandıktan sonra içeriye giren iyonlarının derinliğe göre değişimleri, Rutherford Geri Saçılma Spektrometresiyle (RBS) incelenmiştir İmplantasyona uğratıldıktan ve 700- 1000 0C arasında tavlanmalarından sonra, örneklerin X-ışınının uyartılmasıyla yayınlanan luminesans (RL) ölçümleri, oda sıcaklığında sıvı azotla soğutulan CCD detektörlüi bir spektrometreyle alınmş ve sonuçlar ZnO numunesinin RL spektrumuyla karşılaştırılmıştır. Aynı işlemlerden geçirilen bu örneklerin ve ZnO?in optiksel absorpsiyon ve optiksel geçirgenlik özellikleri incelenmiş ve oda sıcaklığında dalga boyunun fonksiyonu olarak Perkin Elmer UV/VIS/NIR 950 spektrometresiyle alınan ilgili spektrumları karşılaştırılmıştır. Mie kuramını [1] temel alan bir bilgisayar proğramı yazılarak implantasyonla ZnO içinde oluşan Cu ve Tb parçacıklarının 250-850 nm dalga boyuna karşı gelen absorpsiyon+saçılma tesirkesitleri hesaplanmıştır. Bulunan sonuçlar, deneysel soğurma spektrumlarıyla karşılaştırılmıştır. Daha yüksek akıxzamanlı Cu iyonlarıyla bombalanmış örneklerde Cu parçacıkların oluşabileceği gösterilmiştir [2]. Tb iyonlarıyla bombalanmış örneğin soğurma spektrumunun, Tb iyonlarının akıxzaman değerinin yaklaşık 1x1017 iyon/cm2 den fazla olması halinde proğram sonuçlarına uyduğu gözlenmiştir. Bu sonuç aynı zamanda yaklaşık 10 nm çaplı Tb nano parçacıkların ZnO içinde oluştuğunu da göstermektedir. İyonlarla implantasyona uğratıldıktan sonra 700-1000 0C arasında tavlanan örneklerin yüzeylerinde meydana gelen fiziksel değişikliklerin incelenebilmesi için de Atomik Kuvvet Mikroskobuyla (AFM) yüzey fotoğrafları çekilmiştir. Bu incelemelerden; iyon bombardımanı sonucunda, kristalin yapısının amorflaştığı, yüzeyinin büyük ölçüde pürüzlendiği, lüminesans veriminin değiştiği, eksiton bozunmaların yok olduğu ve yüksek dozda Tb ile bombardıman edilen ZnO içerisinde {598}530 nm de nanoparçacıkların oluştuğu görülmüştür. Bu örneklerin tavlanmasıyla birlikte lüminesans şiddetinin daha çok arttığı, amorf yapının daha da bozulduğu ve nanoparçacık çapının daha da genişlediği görülmüştür. Deney sonuçları, ZnO in lazer ve UV LED gibi aletlerde kullanılmasının yanı sıra iyon aşılanmasıyla yarı iletken teknolojisinde ve nano parçacıklarının oluşturulmasında da kullanılabileceğini açıkça göstermektedir.;ZnO, Radioluminescence, Optical Properties, Ion Implantation.trinfo:eu-repo/semantics/openAccessProject