ZnO tabanlı transparan ince film transistör tasarımı ve üretimi
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
2016
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Ege Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu tez çalışmasında oda sıcaklığında ZnO tabanlı transparan ince film transistörlerin (TTFT) tasarımı ve üretimi gerçekleştirilerek, bu transistörlere ait optik ve elektriksel özellikler incelenmiştir. Üretilen TTFT yapısında kanal yarıiletkeni olarak ZnO, drain-source elektrodu olarak ITO, gate elektrodu olarak AZO ve gate dielektriği olarak ise SiO2 materyalleri kullanılmıştır. Tüm yapıya ait görünür bölgedeki ortalama optik geçirgenlik değeri % 84' tür. Eşik voltajı değeri VT 1.3 V ve alan etkili mobilite (µFE) değeri 8 cm2/V.s, on/off oranı 7x103 olarak hesaplanmış ve elde edilen maksimum ID akımı ise ~125 uA olarak ölçülmüştür. Bu tez çalışmasından elde edilen teorik ve deneysel bilgiler, ileride transparan ve esnek ekranlar için üretilmesi planlanan TFT' lerin altyapısını oluşturmuştur.
In this thesis, design and fabrication of room temperature ZnO based transparent thin film transistors (TTFT's) were carried out by investigating optical and electrical properties.In TTFT structure, for channel semiconductor, ZnO; for drain-source electrodes, ITO; for gate electrode AZO and for gate dielectric SiO2 materials were used. The avarage optical transparancy value for the whole structure in the visible region in %84. Threshold voltage and the field effect mobility were calculated as VT 1.3 V, 8 cm2/V.s, respectively. The on/off ratio was calculated as 7x10^3 and the maximum obtained drain current was measured as ~125uA. With the spite of the experimental and theoritical results of this thesis, we have created a significant background in order to fabricate new generation TTFT's for transparent and flexible display applications.
In this thesis, design and fabrication of room temperature ZnO based transparent thin film transistors (TTFT's) were carried out by investigating optical and electrical properties.In TTFT structure, for channel semiconductor, ZnO; for drain-source electrodes, ITO; for gate electrode AZO and for gate dielectric SiO2 materials were used. The avarage optical transparancy value for the whole structure in the visible region in %84. Threshold voltage and the field effect mobility were calculated as VT 1.3 V, 8 cm2/V.s, respectively. The on/off ratio was calculated as 7x10^3 and the maximum obtained drain current was measured as ~125uA. With the spite of the experimental and theoritical results of this thesis, we have created a significant background in order to fabricate new generation TTFT's for transparent and flexible display applications.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
ZnO, İnce Film, İnce Film Transistör, Transparan Malzemeler, Thin Film, Thin Film Transistor, Transparent Materials
